东亭电力电容器目前使用于低压弥补装里中的各种投切开关并非十分完美，有必要进一步研究开发出一种更为理想的电容器过零投切开关。

　　目前这类型式的可控硅其短时通流容量不能做得很低(低于60A 反向耐压一般也只能达到1600V左右，小形三端(TOP封装可控硅由于结构性的原因。这就限制了应用范围。由仿真和计算证明在38OV系统电压下，电容器理想开断时的稳态过电压就可能达到1600V当系统电压高于380V这是常有的情况)或非理想开断时的暂态过电压就可能远大于可控硅的反向耐压位1600V众所周知可控硅是一种对热和电冲击很敏感的半导体元件，一旦出现冲击电流或电压逾越其容许值时，就会立即使其损坏，而且是永久性的损坏.实际运行情况已经标明了复合开关的故障率相当高。

　　与交流接触器在价格上难以相比。复合开关的过零是由电压过零型光耦检测控制的从微观上看它并不是真正意义上的过零投切，由于采用了可控硅等电子元器件其结构复杂利息上升。而是触发电压低于16V40V时(相当于25电度)导通，因而仍有一点涌流。复合开关技术既使用可控硅又使用继电器，于是结构就变得相当复杂，并且由于可控硅对dv/dt敏感性也比较容易损坏。